收藏本站
SiHF6N40D
www.vishay.com
Vishay Siliconix
R G
V GS
V DS
R D
D.U.T.
+
- V DD
10 V
Q GS
Q G
Q GD
10 V
V G
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
Charge
Fig. 12 - Switching Time Test Circuit
Fig. 16 - Basic Gate Charge Waveform
Current regulator
V DS
90 %
12 V
Same type as D.U.T.
50 k Ω
0.2 μF
0.3 μF
+
10 %
D.U.T.
-
V DS
V GS
t d(on)
t r
t d(off) t f
V GS
3 mA
Fig. 13 - Switching Time Waveforms
I G
I D
Current sampling resistors
L
Fig. 17 - Gate Charge Test Circuit
Vary t p to obtain
required I AS
V DS
R G
D.U.T
I AS
+
-
V DD
10 V
t p
0.01 Ω
Fig. 14 - Unclamped Inductive Test Circuit
V DS
t p
V DD
V DS
I AS
Fig. 15 - Unclamped Inductive Waveforms
S12-0687-Rev. A, 02-Apr-12
5
Document Number: 91501
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SIHG20N50C-E3 MOSFET N-CH 500V 20A TO247
SIHG24N65E-E3 MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
SIHP12N60E-E3 MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
SIHP30N60E-E3 MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
SIHP5N50D-E3 MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
SIHP6N40D-E3 MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB
SIHP7N60E-GE3 MOSFET N CH 600V 7A TO-220AB
SIHU3N50D-E3 MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
相关代理商/技术参数
SiHF6N65E-GE3 功能描述:MOSFET 650V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:7 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.6 Ohms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格: 封装 / 箱体: 封装:Bulk
SIHF710 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
SIHF710-E3 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
SIHF720 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
SIHF720-E3 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
SIHF720S 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
SIHF730 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
SIHF730A 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET